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1. 超高热导率：室温热导率 1000～2200 W/(m・K)，高纯单晶最高可达 2800 W/(m・K)，导热性能远优于铜、氮化铝等传统散热材料，快速疏导高密度热量。 2. 优良电绝缘性：电阻率 10^10～10^16 Ω・cm，击穿场强高，高压高频环境下绝缘可靠，减少电磁干扰。 3. 低热膨胀系数：1.0～3.2 ppm/K，和 SiC、GaN、硅等半导体材料热膨胀匹配，降低热循环带来的界面应力。 4. 物理化学稳定性强：莫氏硬度 10，耐腐蚀、化学惰性强，适合严苛工况。 5. 可薄型加工，厚度最低至 0.3mm，适配器件小型化需求。
5G/6G 射频功放、SiC/GaN 功率半导体、高功率半导体激光器、雷达、航空航天电子、大功率 LED、军工高可靠电子热管理。
金刚石热沉基板可搭配高导热焊料烧结贴合芯片；表面严禁磕碰划伤，可按需做 Ti/Pt/Au 金属化处理，定制异形尺寸，工艺方案可技术对接。
材料类型 | 原生金刚石（单晶 / 多晶可选） |
热导率 | 1000～2200 W/(m·K)；高纯单晶最高约 2800 W/(m·K) |
电阻率 | 10^10～10^16 Ω·cm（未掺杂，绝缘） |
莫氏硬度 | 10 |
抗拉强度 | 450～1100 MPa |
杨氏模量 | 1000～1100 GPa |
热膨胀系数 | 1.0～3.2 ppm/K（RT～700℃） |
介电常数（1 MHz） | 5.5～5.7 |
禁带宽度 | 约 5.47 eV |
击穿场强 | 约 2×10^7 V/cm |
标准尺寸 | 5×5 mm 至 50×50 mm，支持定制更大尺寸及异形 |
厚度 | 0.3～3.0 mm |
表面粗糙度 | 研磨 Ra<50 nm；抛光 Ra<5 nm |
平整度 | <5 µm（50 mm 范围内） |
金属化选项 | Ti/Pt/Au 等，可定制 |
