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CVD 单晶金刚石散热片为单晶结构，晶体缺陷少、导热均匀性优于 CVD 多晶金刚石。材料本身电绝缘，不会造成器件短路；热膨胀系数与半导体材料匹配度好，高低温循环下不易产生应力开裂。 可做研磨、镜面抛光、金属化镀钛镀金等表面处理，降低界面热阻；可切割成方形、圆形、异形，支持定制尺寸。 应用场景：半导体激光芯片、大功率射频功放、GaN 功率器件、光电探测器、高算力芯片封装、微波器件等。 核心优势：
超高导热，快速导出芯片集中热量，降低结温，提升器件输出功率与寿命；
高绝缘，无源散热不导电，保障器件电气安全；
低氮含量，晶体纯度高，性能稳定性强；
表面可精密抛光，可金属化，方便焊接贴合芯片；
化学稳定性强，耐腐蚀，适配严苛工作环境。
| 项目 | 参数 |
|---|---|
| 材料 | MPCVD 单晶金刚石 |
| 热导率 | 1800~2200 W/(m・K)@室温 |
| 晶体晶面 | (100) 晶面，偏角可定制 |
| 氮浓度 | ≤0.2ppm（可做到 ppb 级高纯） |
| 电阻率 | ＞10¹⁰ Ω・cm（本征绝缘） |
| 厚度 | 0.2mm~3.0mm，公差 ±0.03mm |
| 常规尺寸 | 5×5mm、10×10mm、15×15mm、20×20mm；圆形 1 英寸、2 英寸（单晶大尺寸受限，4 英寸单晶极少，4 英寸多晶金刚石常规） |
| 表面粗糙度 | 研磨 Ra＜50nm；镜面抛光 Ra＜5nm |
| 表面工艺 | 裸片、镀钛 / 镀钛金金属化 |
| 莫氏硬度 | 10 |
| 热膨胀系数 | 约 1.0×10⁻⁶ /K |
| 可定制 | 异形切割、台阶、打孔、金属化图形定制 |
