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超高热导率：室温热导率 1000～2200 W/(m·K)，高纯度单晶最高可达约 2800 W/(m·K)，远超铜（约 400 W/(m·K)）与氮化铝（约 170 W/(m·K)），导热速度是铜的 5 倍以上，可快速将热量从热源导出，有效降低芯片结温。
优异的电绝缘性：电阻率高达 10^10～10^16 Ω·cm，禁带宽度约 5.47 eV，击穿场强高，可有效避免电磁干扰，保障高频高压电子设备稳定运行。
低热膨胀、低热应力：热膨胀系数约 1.0～3.2 ppm/K，与 GaN、SiC、Si 等半导体芯片热膨胀匹配，可降低界面热应力，提升焊层与器件寿命。
超高硬度与化学稳定性：莫氏硬度 10（自然界最高），抗拉强度 450～1100 MPa，杨氏模量 1000～1100 GPa，耐磨损、耐腐蚀、化学惰性，可适应严苛工作环境。
轻薄化设计：厚度可薄至 0.3～0.5 mm，满足电子设备轻薄化、小型化设计需求。
2.应用场景
5G/6G 通信基站射频功率放大器与微波器件
GaN、SiC 功率半导体器件、IGBT 模块散热
高功率半导体激光器、光纤激光器与光通信模块
LED 大功率光源、雷达、航空航天电子设备
军工与高可靠电子系统的热管理
3. 使用说明
材料类型 | 原生金刚石（单晶 / 多晶可选） |
热导率 | 1000～2200 W/(m·K)；高纯单晶最高约 2800 W/(m·K) |
电阻率 | 10^10～10^16 Ω·cm（未掺杂，绝缘） |
莫氏硬度 | 10 |
抗拉强度 | 450～1100 MPa |
杨氏模量 | 1000～1100 GPa |
热膨胀系数 | 1.0～3.2 ppm/K（RT～700℃） |
介电常数（1 MHz） | 5.5～5.7 |
禁带宽度 | 约 5.47 eV |
击穿场强 | 约 2×10^7 V/cm |
标准尺寸 | 5×5 mm 至 50×50 mm，支持定制更大尺寸及异形 |
厚度 | 0.3～3.0 mm |
表面粗糙度 | 研磨 Ra<50 nm；抛光 Ra<5 nm |
平整度 | <5 µm（50 mm 范围内） |
金属化选项 | Ti/Pt/Au 等，可定制 |
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