CVD单晶散热片
12*0.3mm  晶向100
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CVD 单晶金刚石散热片为单晶结构,晶体缺陷少、导热均匀性优于 CVD 多晶金刚石。材料本身电绝缘,不会造成器件短路;热膨胀系数与半导体材料匹配度好,高低温循环下不易产生应力开裂。 可做研磨、镜面抛光、金属化镀钛镀金等表面处理,降低界面热阻;可切割成方形、圆形、异形,支持定制尺寸。 应用场景:半导体激光芯片、大功率射频功放、GaN 功率器件、光电探测器、高算力芯片封装、微波器件等。 核心优势:

  1. 超高导热,快速导出芯片集中热量,降低结温,提升器件输出功率与寿命;

  2. 高绝缘,无源散热不导电,保障器件电气安全;

  3. 低氮含量,晶体纯度高,性能稳定性强;

  4. 表面可精密抛光,可金属化,方便焊接贴合芯片;

  5. 化学稳定性强,耐腐蚀,适配严苛工作环境。

项目参数
材料MPCVD 单晶金刚石
热导率1800~2200 W/(m・K)@室温
晶体晶面(100) 晶面,偏角可定制
氮浓度≤0.2ppm(可做到 ppb 级高纯)
电阻率>10¹⁰ Ω・cm(本征绝缘)
厚度0.2mm~3.0mm,公差 ±0.03mm
常规尺寸5×5mm、10×10mm、15×15mm、20×20mm;圆形 1 英寸、2 英寸(单晶大尺寸受限,4 英寸单晶极少,4 英寸多晶金刚石常规)
表面粗糙度研磨 Ra<50nm;镜面抛光 Ra<5nm
表面工艺裸片、镀钛 / 镀钛金金属化
莫氏硬度10
热膨胀系数约 1.0×10⁻⁶ /K
可定制异形切割、台阶、打孔、金属化图形定制

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