CVD散热片
​CVD 多晶金刚石散热片  4英寸
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CVD 多晶散热片又称 CVD 多晶金刚石热沉片,采用微波等离子化学气相沉积(MPCVD)工艺制备的多晶金刚石薄片,具备超高热导率、高绝缘、低热膨胀系数特性,导热性能远超铜、铝等传统金属散热材料。可做大尺寸晶圆片(含 4 英寸),平面度好,表面可精密抛光,适配高功率半导体、激光器、射频器件、AI 芯片等高热流密度场景,快速把芯片局部热量均匀扩散,降低器件结温,提升大功率元器件稳定性与使用寿命。

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CVD 多晶金刚石散热片以 CVD 气相沉积技术生长多晶金刚石,晶粒结构均匀,大尺寸制备成本相比原生单晶金刚石更有优势。材料绝缘不导电,热膨胀系数匹配半导体芯片,高低温循环下不易开裂、脱层。产品可做圆形晶圆、方形 / 矩形切片,支持切割、抛光、金属化镀膜定制;表面粗糙度可控,保证与芯片紧密贴合,降低界面热阻。广泛用于激光二极管、功率 IGBT、射频微波器件、AI 算力芯片、车载功率模块、航空航天高功率元器件热管理。

核心优势:

  1. 超高导热:热导率 1200~2000W/m・K,是紫铜的 3~5 倍,快速扩散热流

  2. 电绝缘:绝缘特性,避免器件短路风险

  3. 尺寸优势:可量产大尺寸晶圆,2 英寸、3 英寸、4 英寸、5 英寸、6 英寸可选,支持异形裁切

  4. 低热膨胀,抗热震,高温环境性能稳定

  5. 表面可精密抛光,支持镀钛金等金属化处理

规格:

项目参数
材质CVD 多晶金刚石
热导率1200~2000 W/m・K(室温 300K)
可选晶圆尺寸2 英寸、3 英寸、4 英寸、5 英寸、6 英寸(圆形晶圆);方形 / 矩形可定制裁切
厚度0.25mm~1.0mm,可按需定制
密度3.51 g/cm³
维氏硬度8000~10000 kg/mm²
杨氏模量1000~1100 GPa
表面粗糙度抛光面 Ra<10nm
表面工艺裸金刚石、Ti/Au 金属化可选
翘曲度≤20μm
适用场景AI 芯片、激光二极管、射频器件、功率半导体、车载功率模块
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