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国产 CVD 金刚石热沉片实现稳定量产,破解高功率芯片散热瓶颈

2026-11-10
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近日,国内超硬材料企业在 CVD 金刚石热沉片产业化上取得新进展,多款规格热学级 CVD 金刚石热沉片实现批量交付,产品热导率可达 1800–2200W/m・K,为 AI 算力芯片、射频器件、高功率激光、碳化硅功率模块提供国产化高端热管理方案。


CVD 热沉片依托 MPCVD 化学气相沉积工艺制备,碳原子在真空等离子体环境下有序沉积生长而成。对比传统铜、铝散热材料,其导热能力约为纯铜的 4–5 倍,同时兼具绝缘性好、热膨胀系数低、高温稳定性强等优势,能够快速疏导芯片局部热点,降低器件峰值温度,减少高温带来的降频、翘曲、失效等问题,是当前先进电子领域公认的顶级扩热材料。

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随着 AI 服务器、高速光通信、车载功率半导体、工业激光等行业快速发展,芯片热流密度持续攀升,传统散热材料逐步触及物理上限,高端金刚石热沉材料长期依赖进口。本次量产产品覆盖方形切片、圆形晶圆等形态,支持单面 / 双面抛光、精密切割定制,厚度、尺寸可调,已进入多家半导体封装、激光企业的验证与供货阶段,有效补齐国内高端热沉材料供应链短板。


行业人士表示,CVD 金刚石热沉片是新质生产力背景下超硬材料向半导体热管理赛道延伸的核心产品。后续随着大尺寸晶圆工艺持续优化、良率提升,国产 CVD 热沉片将进一步降低应用成本,助力我国高功率电子产业链自主可控。

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