近日，国内超硬材料企业持续推进 CVD 金刚石散热片（金刚石热沉片）产线迭代与客户验证工作，多款大尺寸、高导热 CVD 多晶金刚石散热片进入小批量交付阶段，面向 AI 算力芯片、射频器件、大功率激光器、碳化硅功率模块等高端市场实现落地，为高功率电子设备热管理提供国产核心材料方案央广网。
CVD 金刚石散热片依托化学气相沉积工艺生长制备，室温热导率可达 1800–2200W/(m・K)，是纯铜材料的 4–5 倍，同时具备低热膨胀系数、绝缘性好、耐温稳定等特性，能够快速摊平芯片局部热点，降低器件峰值温度，延长高功率芯片、激光器的使用寿命，是当前高端热管理赛道公认的高性能均热材料。随着 AI 大模型服务器、车载功率半导体、卫星通信射频器件功耗持续攀升，传统铜、铝散热材料逐步触及物理上限，CVD 金刚石散热方案需求快速释放.
据了解，国内已打通从 MPCVD 沉积、精密研磨、金属化镀层到成型切割的全工艺流程，8 英寸大尺寸 CVD 金刚石散热片实现量产突破，良率持续优化，一改过去高端金刚石热沉片长期依赖海外供应的局面。产品支持单面 / 双面金属化，可直接与芯片、激光巴条、射频芯片键合封装，适配封装级均热、模组散热等多种应用场景，目前已送样多家算力、光电子、功率半导体头部客户开展可靠性验证，部分型号获得稳定测试订单。
行业人士表示，CVD 金刚石散热片的价值核心在于解决超高热流密度场景下的热点难题：芯片热点温度每降低 10℃，器件可靠性可显著提升，算力设备可以稳定跑在更高性能区间，数据中心冷却能耗也随之下降。对比金刚石铜复合材料，纯 CVD 金刚石散热片导热上限更高、绝缘性能更优，适合激光器、射频、航天等严苛场景；金刚石铜复合路线则更偏向 AI 服务器大规模商用，两条路线并行发展。
