晶向是CVD晶种的核心关键属性，指晶体内部原子排列的方向，对金刚石生长形态和性能起决定性作用。CVD晶种的晶向有(100)，（110）和（111），不同晶向适配不同应用场景：（100）和（110）晶向应用于珠宝级毛坯钻石的生长，工业单晶片的生长则无晶向要求。
优质CVD晶种的制备门槛极高，需经过多道精密且严苛的工艺工序，核心流程可分为三步。第一步是原料甄选，优先筛选纯度高、缺陷少的天然金刚石或高温高压合成金刚石作为基材，这是保障晶种基础品质的前提；第二步是定向加工，通过激光切割、研磨等精密加工工艺，将基材加工成预设尺寸——目前主流工业级CVD晶种尺寸为5-15mm见方，超大尺寸晶种（20mm以上）则是大尺寸金刚石制备的技术关键，同时在此环节需精准把控晶向，避免后续生长缺陷；第三步是精细抛光与检测，对加工后的晶种进行纳米级抛光处理，确保表面粗糙度达标以避免影响外延生长，随后通过专业检测设备完成杂质检测与晶向校准。此外，晶种的厚度控制也至关重要，常规厚度为0.3-0.6mm，需兼顾生长过程中的支撑强度与后续加工余量。
