微观结构差异 单晶金刚石拥有高度规整、近乎完美的晶体结构。从原子尺度来看，碳原子呈严密有序的三维周期性排列，晶格完整连贯。整个晶体由单一晶核萌芽，遵循特定结晶学方向稳步生长，全程不受晶界干扰。这使得电子云分布均匀对称，化学键能恒定且强大，维系着物理性质在宏观层面的极致均一性。
相较之下，多晶金刚石恰似一幅由无数微小“晶体拼图”拼合而成的“微马赛克”画卷。它由众多细小的纳米级小颗粒聚集而成，这些小颗粒的晶体结构与单晶金刚石类似，但它们的排列无序，位向不一致，颗粒间通过不饱和键结合，存在明显的晶界，晶体结构不均匀，缺陷相对较多
物理性能差异
硬度与耐磨性
单晶金刚石是自然界中硬度最高的物质之一，摩氏硬度为10，具有极高的耐磨性，刀刃可达到原子级的平直度及锋利度，切削时能将刀刃的完美状态复制在被加工物上，加工出光洁度极高的镜面，适用于超薄切削和超精密加工。
多晶金刚石：硬度稍低于单晶金刚石，但仍具有优异的耐磨性能，且其独特的韧性和自锐性使其在研磨和抛光过程中，粗颗粒会破碎成更小的颗粒，不断露出新的切削刃，既保证了样品表面的磨抛质量，又提高了研磨切削效率，更适合研磨表面由不同硬度材料构成的工件。
热导率与热稳定性
单晶金刚石：室温下热导率高达2000 W/(m·K)以上，热导率基本来自碳原子振动即声子的传播，其高度有序的晶格结构几乎不存在晶界散射的影响，能在高温高压环境下保持稳定的物理和化学性质，可应用于大功率半导体散热、激光设备温控等领域。
多晶金刚石：热导率虽因晶界散射有所降低，但在特定温度区间内，晶界对声子散射路径的干扰可转化为优势，实现对热导率的调控，可作为半导体功率器件散热的热沉应用，其沉淀技术水平相对容易实现，制备成本也更具优势。
光学性能
单晶金刚石：光学折射率高，吸收系数极低，光线穿透时损耗极小，打磨成型后可用于红外光学窗口、高端显微镜物镜等，CVD法制备的高质量单晶金刚石可做到完全无色透明，从紫外到红外以及微波范围都有优良的透过性，理论透过率高达71.6%，还可用作性能优异的晶体拉曼材料。
多晶金刚石：因晶界散射，光学均匀性受限，但经特殊工艺优化晶粒尺寸、降低晶界影响后，可在部分对成本敏感、光学精度要求相对温和的照明、显示器件领域得到应用。
制备工艺差异
单晶金刚石：
高温高压法（HTHP）：在高温（1200-2000℃）、高压（5-6 GPa）及金属触媒的作用下，使石墨原料中的碳原子重新排列形成单晶金刚石，该方法可产出大颗粒宝石级单晶，但设备造价高，操作复杂，且晶体尺寸和生长速率受工艺限制。
化学气相沉积法（CVD）：在低压高温的腔室中，利用等离子体、热丝等激活含碳气体，促使碳原子逐层沉积在衬底上生长出单晶金刚石，这种方法制备的晶体纯度高，可精准调控生长参数，适合半导体级单晶的批量生产，但生长速度相对较慢。
多晶金刚石：
直接转化法：将石墨粉与金属粘结剂混合，经短时高温高压烧结，使石墨快速转化为多晶金刚石，该工艺简单、成本低，可快速制造块状、异形多晶产品，常用于工业刀具的生产。
CVD法：通过调整沉积气压、温度、气体流量等参数，促使大量晶核生成并生长，从而得到多晶金刚石，可灵活控制晶粒尺寸和晶界特性，用于刀具涂层、微机电系统（MEMS）精细部件等领域。
应用领域多元化
单晶金刚石：
（一）半导体领域：作为理想的衬底材料，其宽禁带、高载流子迁移率等特性有助于晶体管、功率模块突破高频、高压运行瓶颈，推动5G基站、电动汽车动力系统芯片等的革新。
（二）光学仪器制造：用于制造高精度的光学窗口、透镜等，如红外探测器、太空望远镜等，可提高设备的光线捕捉和解析能力。
（三）超精密加工：如制造切削工具，可实现对材料的高精度、高效率加工，在加工有色金属时，表面粗糙度可达Rz0.1-Rz0.05μm，被加工工件的形状精度控制在50nm以下。
多晶金刚石：
（一）研磨抛光：作为精密磨料，广泛应用于蓝宝石晶片、碳化硅晶片、功能陶瓷等硬脆材料的精磨和抛光，能在保证加工质量的同时提高效率。
（二）电子封装：多晶金刚石薄膜可作为散热基板，解决芯片发热问题，为电子产品的轻薄化和性能提升提供支持。
（三）半导体散热：多晶金刚石膜可作为半导体功率器件散热的热沉，提高器件的散热性能，保证其稳定运行。
