Si（硅）和SiC（碳化硅）通常用作 GaN-HEMT 的衬底，但金刚石的热导率比Si高出约12倍，比SiC高出4-6倍，因此可以将热阻分别降低1/4、1/2
迄今为止，由于多晶金刚石的晶粒尺寸大、表面粗糙度差（5~6 nm），因此很难在没有焊料或粘合材料的情况下直接键合GaN层。但这次，通过将金刚石衬底抛光技术（可将表面粗糙度降低到传统方法的一半）与GaN层从Si衬底转移到多晶金刚石的技术相结合，我们成功地将GaN层直接键合到了2 英寸多晶金刚石上。
这证明了GaN结构在多晶金刚石上的可行性及其散热特性的均匀性。
